Samsung baru-baru ini mengumumkan teknologi chip memori non-volatile terbaru yang dapat menjadi terobosan besar dalam dunia semikonduktor. Teknologi ini dikenal dengan nama Ferroelectric Field-Effect Transistor atau FeFET yang diklaim dapat meningkatkan kapasitas penyimpanan tanpa menambah konsumsi daya. Apakah FeFET akan menggantikan NAND di masa depan?
Masalah utama pada chip NAND adalah tingginya konsumsi daya. Struktur NAND membuat beberapa sel memori saling terhubung, sehingga ketika membaca satu data, daya juga harus dialirkan ke sel lainnya. Akibatnya, semakin besar kapasitas chip, semakin tinggi pula daya yang dibutuhkan.
Untuk mengatasi masalah tersebut, tim riset Samsung menciptakan sistem baru berbasis FeFET dengan material ferolektrik yang terbuat dari hafnia dan zirkonium. Material ini mampu mempertahankan muatan listriknya meskipun tidak terhubung dengan daya, sehingga membuatnya lebih efisien dan stabil. Hasilnya, chip FeFET dapat menyimpan hingga lima bit data per sel dengan konsumsi daya yang sangat rendah.
Dari hasil uji coba, teknologi ini diklaim mampu mengurangi penggunaan daya hingga 96% dibandingkan chip NAND biasa. Yang menarik, FeFET juga tetap berfungsi dengan baik dalam desain tiga dimensi yang sangat kecil bahkan di ukuran 25 nanometer. Hal ini membuka peluang besar untuk menciptakan chip yang lebih padat, cepat, dan hemat energi di masa depan.
Samsung menyebut FeFET sebagai teknologi memori non-volatile masa depan dengan keunggulan kapasitas besar dan efisiensi daya yang luar biasa. Meskipun masih dalam tahap riset, jika diterapkan secara komersial, chip ini dapat menjadi solusi ideal bagi industri kecerdasan buatan yang membutuhkan penyimpanan berkapasitas besar.
